L-TOGL东芝新品车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB“采用了的新型L-TOGL™封装，封装电阻下降大约30%，漏极额定电流（DC）最大高达400A，沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%。这些特性有利于实现更大的电流，并降低车载设备的损耗。
主要应用：车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。
主推产品：XPQ1R004PB | XPQR3004PB
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低压MOSFET
L-TOGL东芝新品车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB“采用了的新型L-TOGL™封装，封装电阻下降大约30%，漏极额定电流（DC）最大高达400A，沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%。这些特性有利于实现更大的电流，并降低车载设备的损耗。
主要应用：车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。
主推产品：XPQ1R004PB | XPQR3004PB
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